Nantilus
Principes et fonctions de l'électronique intégrée : Tome 2 Effets de surface, circuits intégrés
Au sommaire : -La capacité MOS (1 : La structure mis idéale en régime statique. 2 : caractéristiques dynamiques de la structure mis idéale. 3 : la structure mis réelle. Structure mos et dispositifs à transfert de charge ccd ) - Transistors à effet de champ (1 : caractéristiques du transistor à effet...
Enregistré dans:
| Auteurs principaux : | , |
|---|---|
| Format : | Livre |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Principes et fonctions de l'électronique intégrée. Tome 2, Effets de surface, circuits intégrés / Jacques Boucher,... Jean Simonne,... |
| Édition : | [2e édition] |
| Publié : |
Toulouse :
Cépaduès-Editions
, DL 1989 |
| Description matérielle : | 1 vol. (272 p.) |
| Collection : | Sup'aéro |
| Sujets : |
| LEADER | 02518cam a2200601 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | PPN012892521 | ||
| 003 | http://www.sudoc.fr/012892521 | ||
| 005 | 20240820072100.0 | ||
| 010 | |a 2-85428-073-3 |b br. | ||
| 035 | |a 022234934 |9 sudoc | ||
| 035 | |a (OCoLC)42710427 | ||
| 035 | |a ocm42710427 | ||
| 035 | |a sib0434500 | ||
| 035 | |a ocm24477655 | ||
| 100 | |a 19930216h19891989k y0frey0103 ba | ||
| 101 | 0 | |a fre |e fre |2 639-2 | |
| 102 | |a FR | ||
| 105 | |a a z 001yy | ||
| 106 | |a r | ||
| 181 | |6 z01 |c txt |2 rdacontent | ||
| 181 | 1 | |6 z01 |a i# |b xxxe## | |
| 182 | |6 z01 |c n |2 rdamedia | ||
| 182 | 1 | |6 z01 |a n | |
| 183 | 1 | |6 z01 |a nga |2 RDAfrCarrier | |
| 200 | 1 | |a Principes et fonctions de l'électronique intégrée |h Tome 2 |i Effets de surface, circuits intégrés |f Jacques Boucher,... Jean Simonne,... | |
| 205 | |a [2e édition] | ||
| 214 | 0 | |a Toulouse |c Cépaduès-Editions |d DL 1989 | |
| 215 | |a 1 vol. (272 p.) |c ill. |d 24 cm | ||
| 225 | 2 | |a Sup'aéro |x 0337-6192 | |
| 320 | |a Index | ||
| 330 | |a Au sommaire : -La capacité MOS (1 : La structure mis idéale en régime statique. 2 : caractéristiques dynamiques de la structure mis idéale. 3 : la structure mis réelle. Structure mos et dispositifs à transfert de charge ccd ) - Transistors à effet de champ (1 : caractéristiques du transistor à effet de champ à jonctions. 2 : caractéristiques du transistor mos. 3 : utilisation des composants actifs discrets.) -Circuits intégrés monolithiques (1 : technologie des circuits intégrés. 2 : circuits intégrés analogiques. 3 : circuits intégrés logiques.) | ||
| 410 | | | |0 013289926 |t Sup'aéro |x 0337-6192 | |
| 606 | |3 PPN027253317 |a Transistors à effet de champ |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN027675521 |a MOS (électronique) |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN027223221 |a Circuits intégrés |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN027270297 |a Électronique |2 rameau | ||
| 676 | |a 621.381 5 | ||
| 680 | |a TK7860 | ||
| 700 | 1 | |3 PPN033818916 |a Boucher |b Jacques |f 1939-.... |4 070 | |
| 701 | 1 | |3 PPN033830428 |a Simonne |b Jean |4 070 | |
| 801 | 3 | |a FR |b Abes |c 20230828 |g AFNOR |h 022234934 | |
| 801 | 1 | |a US |b OCLC |g AACR2 | |
| 801 | 2 | |a FR |b AUROC |g AFNOR | |
| 801 | 3 | |a FR |b SF |g AFNOR | |
| 801 | 1 | |a US |b OCLC |g AACR2 | |
| 801 | 2 | |a FR |b AUROC |g AFNOR | |
| 979 | |a ECN | ||
| 979 | |a SCI | ||
| 930 | |5 441092104:456591583 |b 441092104 |j u | ||
| 930 | |5 441842101:599664274 |b 441842101 |j u | ||
| 930 | |5 441092306:827900368 |b 441092306 |j u | ||
| 991 | |5 441092306:827900368 |a Exemplaire créé en masse par ITEM le 26-07-2024 13:42 | ||
| 998 | |a 330839 | ||