DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE : CARACTERISATIONS, DENSITE D'ETATS LOCALISES
DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSEES PAR DECHARGE PLASMA ONT ETE CARACTERISEES PAR MESURES D'ABSORPTIONS OPTIQUE, IR, DE SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS (ESCA XPS), DE RESISTIVITE ET DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE AINSI QUE PAR ETUDE DE DIODES SCHOTTKY
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---|---|
Collectivité auteur : | |
Autres auteurs : | |
Format : | Thèse ou mémoire |
Langue : | français |
Titre complet : | DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE : CARACTERISATIONS, DENSITE D'ETATS LOCALISES / TAHAR ABACHI; SOUS LA DIRECTION DE GUY GOUVEAUX |
Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1987 |
Description matérielle : | 227 P. |
Note de thèse : | Thèse de 3e cycle : Sciences appliquées : Nantes : 1987 |
Sujets : | |
Documents associés : | Reproduit comme:
DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE |
Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
LEADER | 02923cam a22005411i 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | PPN043615910 | ||
003 | http://www.sudoc.fr/043615910 | ||
005 | 20240829055200.0 | ||
029 | |a FR |b 1987NANT2006 | ||
035 | |a 072511885 |9 sudoc | ||
035 | |a (OCoLC)490257635 | ||
035 | |a thS-00051328 | ||
035 | |a DYNIX_BUNAN_202328 | ||
100 | |a 19990313d1987 |||||frey0103 ba | ||
101 | 0 | |a fre |d fre |2 639-2 | |
102 | |a FR | ||
105 | |a ||||m ||||| | ||
181 | |6 z01 |c txt |2 rdacontent | ||
181 | 1 | |6 z01 |a i# |b xxxe## | |
182 | |6 z01 |c n |2 rdamedia | ||
182 | 1 | |6 z01 |a n | |
200 | 1 | |a DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE |e CARACTERISATIONS, DENSITE D'ETATS LOCALISES |f TAHAR ABACHI |g SOUS LA DIRECTION DE GUY GOUVEAUX | |
210 | |a [S.l.] |c [s.n.] |d 1987 | ||
215 | |a 227 P. |d 30 cm | ||
300 | |a CNET, Lannion | ||
301 | |a 1987NANT2006 | ||
316 | |5 441092104:179786865 |a Titre temporairement indisponible à la communication | ||
320 | |a 65 REF | ||
328 | 0 | |b Thèse de 3e cycle |c Sciences appliquées |e Nantes |d 1987 | |
330 | |a DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSEES PAR DECHARGE PLASMA ONT ETE CARACTERISEES PAR MESURES D'ABSORPTIONS OPTIQUE, IR, DE SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS (ESCA XPS), DE RESISTIVITE ET DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE AINSI QUE PAR ETUDE DE DIODES SCHOTTKY | ||
456 | | | |0 245675132 |t DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE |o CARACTERISATIONS, DENSITE D'ETATS LOCALISES |f Tahar Abachi |d 1987 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [ Grenoble thèses] | |
541 | | | |a A-SI: H SCHOTTKY DIODES CHARACTERIZATIONS AND BULK LOCALIZED STATES DENSITY |z eng | |
608 | |3 PPN027253139 |a Thèses et écrits académiques |2 rameau | ||
610 | 1 | |a SCIENCES APPLIQUEES : ELECTRONIQUE | |
610 | 2 | |a DIODE BARRIERE SCHOTTKY/SILICIUM/ETAT AMORPHE/EFFET VOLUME/DENSITE ETAT/ETAT LOCALISE/ABSORPTION OPTIQUE/ABSORPTION IR/SPECTROMETRIE PHOTOELECTRON/CONDUCTIVITE ELECTRIQUE/POUVOIR THERMOELECTRIQUE/CARACTERISTIQUE COURANT TENSION/CAPACITE ELECTRIQUE/BASSE FREQUENCE/FACTEUR THERMIQUE/SYSTEME HYDROGENE SILICIUM | |
610 | 2 | |a SCHOTTKY BARRIER DIODE/SILICON/AMORPHOUS STATE/BULK EFFECT/DENSITY OF STATES/LOCALIZED STATE/OPTICAL ABSORPTION/INFRARED ABSORPTION/PHOTOELECTRON SPECTROMETRY/ELECTRICAL CONDUCTIVITY/THERMOELECTRIC POWER/VOLTAGE CURRENT CURVE/CAPACITANCE/LOW FREQUENCY/TEMPERATURE EFFECT | |
686 | |a 001.D.03.F.03 |2 tlt | ||
686 | |a 620 |2 TEF | ||
700 | 1 | |3 PPN031871496 |a Abachi |b Tahar |f 1954-.... |4 070 | |
702 | 1 | |a GOUVEAUX |b GUY |4 727 | |
712 | 0 | 2 | |3 PPN026403447 |a Université de Nantes |c 1962-2021 |4 295 |
801 | 3 | |a FR |b Abes |c 20210216 |g AFNOR |h 072511885 | |
979 | |a SCI | ||
915 | |5 441092104:179786865 |a 1160123044 |b 1160123044 | ||
919 | |5 441092104:179786865 |a 1160123044 | ||
930 | |5 441092104:179786865 |b 441092104 |j g | ||
991 | |5 441092104:179786865 |a Exemplaire modifié automatiquement le 18-07-2024 18:02 | ||
998 | |a 223297 |