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FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE : CINETIQUE DE CROISSANCE ET INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES
DANS CE TRAVAIL, NOUS ETUDIONS LA CROISSANCE DU SILICIURE DE TITANE FORME PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE SOUS ARGON LE PLUS SOUVENT, DE COUCHES DE TITANE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, POLYCRISTALLIN OU AMORPHE, EN INSISTANT SUR LA CINETIQUE ET L'INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES, PRI...
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| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE : CINETIQUE DE CROISSANCE ET INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES / ALAIN SAULNIER; SOUS LA DIRECTION DE PAUL SIFFERT |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1990 |
| Description matérielle : | 149 p |
| Note de thèse : | Thèse Doctorat : Physique : Strasbourg 1 : 1990 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
| Résumé : | DANS CE TRAVAIL, NOUS ETUDIONS LA CROISSANCE DU SILICIURE DE TITANE FORME PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE SOUS ARGON LE PLUS SOUVENT, DE COUCHES DE TITANE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, POLYCRISTALLIN OU AMORPHE, EN INSISTANT SUR LA CINETIQUE ET L'INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES, PRINCIPALEMENT L'OXYGENE. NOUS FAISONS EGALEMENT LA COMPARAISON AVEC LE RECUIT FOUR DE LONGUE DUREE. NOUS OBTENONS AINSI LA CINETIQUE REELLE SUR MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN DANS LE CAS PARABOLIQUE ENTRE 590 ET 750#OC. NOUS COMPARONS ALORS TOUS LES RESULTATS AVEC CEUX DE LA LITTERATURE. LES TECHNIQUES DE CARACTERISATION EMPLOYEES SONT LA METHODE DES 4 POINTES, LE RBS, LE SIMS ET LA SPECTROMETRIE AUGER |
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| Variantes de titre : | TITANIUM SILICIDE FORMATION BY RAPID THERMAL ANNEALING: GROWTH KINETICS AND INFLUENCE OF SOME IMPURITIES |
| Notes : | CRN (Strasbourg), IN2P3, CNRS 1990STR13152 |
| Bibliographie : | 156 REF |