FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE : CINETIQUE DE CROISSANCE ET INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES

DANS CE TRAVAIL, NOUS ETUDIONS LA CROISSANCE DU SILICIURE DE TITANE FORME PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE SOUS ARGON LE PLUS SOUVENT, DE COUCHES DE TITANE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, POLYCRISTALLIN OU AMORPHE, EN INSISTANT SUR LA CINETIQUE ET L'INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES, PRI...

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Détails bibliographiques
Auteur principal : Saulnier Alain (Auteur)
Collectivité auteur : Université Louis Pasteur Strasbourg 1971-2008 (Organisme de soutenance)
Autres auteurs : Siffert Paul (Directeur de thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE : CINETIQUE DE CROISSANCE ET INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES / ALAIN SAULNIER; SOUS LA DIRECTION DE PAUL SIFFERT
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 1990
Description matérielle : 149 p
Note de thèse : Thèse Doctorat : Physique : Strasbourg 1 : 1990
Sujets :
Documents associés : Reproduit comme: FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE
Particularités de l'exemplaire : BU Sciences, Ex. 1 :
Titre temporairement indisponible à la communication

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330 |a DANS CE TRAVAIL, NOUS ETUDIONS LA CROISSANCE DU SILICIURE DE TITANE FORME PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE SOUS ARGON LE PLUS SOUVENT, DE COUCHES DE TITANE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, POLYCRISTALLIN OU AMORPHE, EN INSISTANT SUR LA CINETIQUE ET L'INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES, PRINCIPALEMENT L'OXYGENE. NOUS FAISONS EGALEMENT LA COMPARAISON AVEC LE RECUIT FOUR DE LONGUE DUREE. NOUS OBTENONS AINSI LA CINETIQUE REELLE SUR MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN DANS LE CAS PARABOLIQUE ENTRE 590 ET 750#OC. NOUS COMPARONS ALORS TOUS LES RESULTATS AVEC CEUX DE LA LITTERATURE. LES TECHNIQUES DE CARACTERISATION EMPLOYEES SONT LA METHODE DES 4 POINTES, LE RBS, LE SIMS ET LA SPECTROMETRIE AUGER 
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