ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER
L'ALLIAGE SI#1##XGE#X OFFRE DES DEGRES DE LIBERTE (CONCENTRATION EN GE, ETAT DE CONTRAINTE) PERMETTANT D'OPTIMISER LES STRUCTURES DE BANDE EN VUE DE L'ELABORATION DE DISPOSITIFS MICRO- ET OPTO ELECTRONIQUES. DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL DE THESE, UNE METHODE DE FABRICATION DE CET ALLIA...
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Format : | Thèse ou mémoire |
Langue : | français |
Titre complet : | ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER / FLORENCE REPPLINGER; SOUS LA DIRECTION DE PAUL SIFFERT |
Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1994 |
Description matérielle : | 182 P. |
Note de thèse : | Thèse de doctorat : Physique : Strasbourg 1 : 1994 |
Sujets : | |
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ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER |
Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
Résumé : | L'ALLIAGE SI#1##XGE#X OFFRE DES DEGRES DE LIBERTE (CONCENTRATION EN GE, ETAT DE CONTRAINTE) PERMETTANT D'OPTIMISER LES STRUCTURES DE BANDE EN VUE DE L'ELABORATION DE DISPOSITIFS MICRO- ET OPTO ELECTRONIQUES. DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL DE THESE, UNE METHODE DE FABRICATION DE CET ALLIAGE DIFFERENTE DES METHODES DE DEPOT HABITUELLES A ETE ETUDIEE. DE FORTES DOSES DE GERMANIUM (10#1#7 AT/CM#2) ONT ETE IMPLANTEES DANS UN SUBSTRAT DE SI CRISTALLIN OU UNE COUCHE DE SI AMORPHE DEPOSEE SUR SIO#2. LE MATERIAU A ETE REORGANISE SOIT EN PHASE LIQUIDE (TRAITEMENT PAR LASER A EXCIMERE PULSE ARF OU XECL) SOIT EN PHASE SOLIDE (RECUIT THERMIQUE CLASSIQUE). DES ANALYSES PAR FAISCEAU D'IONS COMBINEES A DES CARACTERISATIONS OPTIQUES ONT MONTRE QU'EN OPTIMISANT LES CONDITIONS DE PREPARATION, IL EST POSSIBLE D'OBTENIR DES COUCHES D'ALLIAGE POLYCRISTALLINES SUR SIO#2 OU MONOCRISTALLINES DE BONNE QUALITE CONTRAINTES SUR SUBSTRAT SI (10% |
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Variantes de titre : | PREPARATION AND STRUCTURAL PROPERTIES OF THIN SI#1##XGE#X FILMS GROWN BY THERMAL OR LASER ANNEALING OF HEAVILY GERMANIUM IMPLANTED SILICON |
Notes : | 1994STR13110 |
Bibliographie : | 143 REF. |