Semiconductor device physics and simulation

Détails bibliographiques
Auteurs principaux : Yuan J. S., Liou Juin J. (Auteur)
Format : Livre
Langue : anglais
Titre complet : Semiconductor device physics and simulation / J.S. Yuan and J.J. Liou
Publié : New York : Plenum Press , c1998
Description matérielle : xii, 336 p.
Collection : Microdevices
Sujets :
LEADER 01191cam a2200361 4500
001 PPN045931208
005 20150113020500.0
010 |a 0-306-45724-5 
020 |a US  |b 9818553 
020 |a GB  |b 98-47997 
035 |a ocm38862610 
035 |z ocm39442387 
100 |a 19980324d1998 u y0engy0103 ba 
101 0 |a eng 
102 |a US  |b ny 
105 |a a a 001|y 
200 1 |a Semiconductor device physics and simulation  |f J.S. Yuan and J.J. Liou 
210 |a New York  |c Plenum Press  |d c1998 
215 |a xii, 336 p.  |c ill.  |d 26 cm 
225 2 |a Microdevices 
320 |a Includes bibliographical references and index. 
410 | |t Microdevices 
606 |3 PPN027282570  |a Semiconducteurs  |3 PPN027351572  |x Simulation par ordinateur  |2 rameau 
606 |3 PPN027871592  |a Transistors à jonctions  |3 PPN027351572  |x Simulation par ordinateur  |2 rameau 
676 |a 621.3815/2/0113  |v 21 
680 |a TK7871.85  |b .Y83 1998 
700 1 |a Yuan  |b J. S. 
701 1 |3 PPN075111934  |a Liou  |b Juin J.  |4 070 
801 3 |a FR  |b Abes  |c 20050420  |g AFNOR 
801 1 |a US  |b OCLC  |c 20050420  |g AACR2 
801 2 |a FR  |b AUROC  |c 20050420  |g AFNOR 
930 |5 441092105:240054644  |b 441092105  |j u 
998 |a 414574