ETUDE DES PHENOMENES PHYSIQUES ASSOCIES A L'OUVERTURE DES CONTACTS DANS L'OXYDE DE SILICIUM PAR GRAVURE PLASMA

ETUDE DES PHENOMENES PHYSIQUES ASSOCIES A L'OUVERTURE DES CONTACTS DANS L'OXYDE DE SILICIUM PAR GRAVURE PLASMA

LE PRESENT TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE D'UNE IMPORTANTE ETAPE TECHNOLOGIQUE DE LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES CMOS ULSI, A SAVOIR : L'OPERATION D'OUVERTURE DES TROUS DE CONTACT. LA GRAVURE DE L'OXYDE DE SILICIUM EST REALISEE DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL DE TYPE DIODE...

Description complète

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Détails bibliographiques
Auteur principal : LE GOFF CYRIL (Auteur)
Collectivité auteur : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance)
Autres auteurs : Turban Guy (Directeur de thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : ETUDE DES PHENOMENES PHYSIQUES ASSOCIES A L'OUVERTURE DES CONTACTS DANS L'OXYDE DE SILICIUM PAR GRAVURE PLASMA / CYRIL LE GOFF; SOUS LA DIRECTION DE GUY TURBAN
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 1998
Description matérielle : 158 P.
Note de thèse : Thèse de doctorat : Sciences appliquées : Nantes : 1998
Sujets :
SCIENCES APPLIQUEES : ELECTRONIQUE
FABRICATION MICROELECTRONIQUE/TECHNOLOGIE MOS COMPLEMENTAIRE/CIRCUIT ULSI/OUVERTURE/TROU INTERCONNEXION/LIGNE CONTACT/CONTACT ELECTRIQUE/GRAVURE PLASMA/GRAVURE IONIQUE REACTIVE/SILICIUM OXYDE/NA/COMPOSE BINAIRE/PLAN EXPERIENCE/TRAITEMENT SURFACE/TOPOGRAPHIE/SPECTROMETRIE RX/SPECTROMETRIE PHOTOELECTRON/SIO2/O SI
MICROELECTRONIC FABRICATION/COMPLEMENTARY MOS TECHNOLOGY/ULSI CIRCUIT/OPENING/VIA HOLE/CONTACT LINE/ELECTRIC CONTACT/PLASMA ETCHING/REACTIVE ION ETCHING/SILICON OXIDES/NC/NA/BINARY COMPOUND/EXPERIMENTAL DESIGN/SURFACE TREATMENT/TOPOGRAPHY/X RAY SPECTROMETRY/PHOTOELECTRON SPECTROMETRY
Thèses et écrits académiques
Particularités de l'exemplaire : BU Sciences, Ex. 1 :
Titre temporairement indisponible à la communication
BU Sciences, Ex. 2 :
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