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Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium
Ce travail est consacré au dépôt basse température de couches minces d'oxyde de silicium sur des substrats de silicium et d'alliages silicium-germanium (SiGe) dans un réacteur radiofréquence (13.56 MHz) hélicon fonctionnant à basse pression. Les couches de Si02, proches de la silice thermi...
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| Auteurs principaux : | , , , , , , , |
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| Collectivités auteurs : | , , , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium / Didier Goghero; sous la direction de Guy Turban |
| Publié : |
2001 |
| Description matérielle : | 1 vol. (178 p.) |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Microélectronique, électronique et génie électrique : Nantes : 2001 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
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| 215 | |a 1 vol. (178 p.) |c ill. |d 30 cm | ||
| 314 | |a Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale sciences et technologies de l'information et de mathématiques (STIM) (Nantes) | ||
| 314 | |a Partenaire de recherche : Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN) (Nantes) (Laboratoire) | ||
| 314 | |a Autre(s) contribution(s) : Yves Danto(Président du jury) ; Antoine Goullet, Agnès Granier, Jean-Pierre Landesman (Membre du jury) ; Hervé Carchano, Françoise Meyer (Rapporteurs) | ||
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| 320 | |a Bibliogr. p. 169-178, 196 réf. | ||
| 328 | |b Thèse de doctorat |c Microélectronique, électronique et génie électrique |e Nantes |d 2001 | ||
| 330 | |a Ce travail est consacré au dépôt basse température de couches minces d'oxyde de silicium sur des substrats de silicium et d'alliages silicium-germanium (SiGe) dans un réacteur radiofréquence (13.56 MHz) hélicon fonctionnant à basse pression. Les couches de Si02, proches de la silice thermique, sont obtenues à partir d'un plasma de mélange oxygène/tétraéthoxysilane (TEOS) très riche en oxygène. Nous avons étudié l'effet d'une tension de polarisation radiofréquence appliquée au niveau du porte substrat sur les propriétés des couches à 2 et 5 mTorr. Le plasma a été analysé par spectroscopie d'émission optique et sonde de Langmuir pour étudier les perturbations induites par la polarisation sur la décharge. L' ellipsométrie spectroscopique UV-Visible, la spectroscopie infrarouge en transmission et l'analyse XPS ont été utilisées pour l'étude structurale des couches de Si02 et des interfaces diélectrique/semiconducteur. Nous avons distingué le procédé d'oxydation plasma de celui du dépôt plasma pour étudier l'effet des agents oxydants sur le substrat. Les conditions de dépôt ont été optimisées en vue d'obtenir une interface de bonne qualité électrique et de trouver une solution au problème de l'oxydation directe de silicium-germanium. Enfin, nous nous sommes attachés à établir des corrélations entre les résultats d'analyse structurale et électrique | ||
| 330 | |a This work is devoted to the low temperature deposition of silicon dioxide thin films on silicon and silicon-germanium (SiGe) substrates in a radiofrequency (13.56 MHz) helicon reactor operated at low pressure. SiOi-like films, close to the thermal oxide, are obtained using a plasma of very rich oxygen tetraethoxysilane (TEOS)/oxygen mixture. The influence on the film properties of a radiofrequency applied bias voltage at the substrate holder has been investigated at 2 and 5 mTorr. The plasma has been analyzed by optical emission spectroscopy and Langmuir probe to study the perturbations of the substrate biasing on the discharge. UV-Visible spectroscopic ellipsometry, infrared absorption spectroscopy and X-Ray photoelectron spectroscopy were used for the structural study of silicon dioxide films and dielectric/semiconductor interfaces. The plasma oxidation process was distinguished from plasma deposition one to study the effect of the oxidizing species on the substrate. The deposition conditions have been optimized in order to obtain a good electrical quality of the oxide/substrate interface and find out a possible solution for the problem of direct oxidation of silicon-germanium. At last, we focused our attention to establish correlations between the results of structural and electrical analysis | ||
| 456 | | | |0 246608277 |t Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium |f Didier Goghero |d 2001 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [ Grenoble thèses] | |
| 541 | | | |a Structural and electrical properties of silicon dioxide films grown by low temperature oxygen/tetraethoxysilane plasma on silicon-germanium alloys |z eng | |
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