Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium
Ce travail est consacré au dépôt basse température de couches minces d'oxyde de silicium sur des substrats de silicium et d'alliages silicium-germanium (SiGe) dans un réacteur radiofréquence (13.56 MHz) hélicon fonctionnant à basse pression. Les couches de Si02, proches de la silice thermi...
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Collectivités auteurs : | , , , |
Format : | Thèse ou mémoire |
Langue : | français |
Titre complet : | Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium / Didier Goghero; sous la direction de Guy Turban |
Publié : |
2001 |
Description matérielle : | 1 vol. (178 p.) |
Note de thèse : | Thèse de doctorat : Microélectronique, électronique et génie électrique : Nantes : 2001 |
Sujets : | |
Documents associés : | Reproduit comme:
Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium |
Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
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