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Oxy-gallates et oxy-germanates de terres rares conducteurs par ions oxygène
De nouveaux conducteurs anioniques dérivés de Nd4Ga2O9, Nd4GeO8 et Nd3GaO6, ont été obtenus par substitutions cationiques. Les oxy-Cuspidine Nd4[Ga2(1-x)M2xO7+x 1-x]O2 (M=Ge,Ti) ont été préparées par diverses techniques. Avec la substitution, la structure Cuspidine est maintenue jusqu'à x=0,5 e...
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| Auteurs principaux : | , , |
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| Collectivités auteurs : | , , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Oxy-gallates et oxy-germanates de terres rares conducteurs par ions oxygène / Anthony Chesnaud; Yves Piffard, directeur de thèse , Olivier Joubert, co-encadrant |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2005 |
| Description matérielle : | 1 vol. (212 p.) |
| Condition d'utilisation et de reproduction : | Publication autorisée par le jury |
| Note de thèse : | Thèse doctorat : Science des matériaux, physicochimie du solide : Nantes : 2005 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
Oxy-gallates et oxy-germanates de terres rares conducteurs par ions oxygène |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
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| 330 | |a De nouveaux conducteurs anioniques dérivés de Nd4Ga2O9, Nd4GeO8 et Nd3GaO6, ont été obtenus par substitutions cationiques. Les oxy-Cuspidine Nd4[Ga2(1-x)M2xO7+x 1-x]O2 (M=Ge,Ti) ont été préparées par diverses techniques. Avec la substitution, la structure Cuspidine est maintenue jusqu'à x=0,5 et 1,0 pour M=Ge et Ti respectivement. Dans les deux cas, une modulation 1D de la structure est observée pour x 0,15 mais l'effet du substituant sur la conductivité anionique est différent : Ti joue un rôle assez neutre alors que Ge l'améliore. De nouveaux composés ont aussi été préparés par substitution de Ge4+ par Ga3+ dans Nd4GeO8, de Ga3+ par Zn2+, Mg2+, et de Nd3+ par Ca2+, Sr2+ dans Nd3GaO6. Une technique d'auto-combustion a été développée pour synthétiser ces matériaux à 900°C. Il est possible de créer 10% de lacunes d'oxygène dans Nd4GeO8 et moins de 1% dans Nd3GaO6. Cependant, ces taux de substitution relativement faibles induisent une nette augmentation de la conductivité. | ||
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