Gettering defects in semiconductors
Gettering Defects in Semiconductors fulfills three basic purposes: to systematize the experience and research in exploiting various gettering techniques in microelectronics and nanoelectronics; to identify new directions in research, particularly to enhance the perspective of professionals and young...
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Auteurs principaux : | , |
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Format : | Livre |
Langue : | anglais |
Titre complet : | Gettering defects in semiconductors / by Victor A. Perevoschikov, Vladimir D. Skoupov |
Édition : | 1st ed. 2005. |
Publié : |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
, [20..] Cham : Springer Nature |
Collection : | Springer series in advanced microelectronics (Internet) ; 19 |
Accès en ligne : |
Accès Nantes Université
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Note sur l'URL : | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex |
Condition d'utilisation et de reproduction : | Conditions particulières de réutilisation pour les bénéficiaires des licences nationales : https://www.licencesnationales.fr/springer-nature-ebooks-contrat-licence-ln-2017 |
Contenu : | Basic technological processes and defect formation in the components of device structures. Effects of defects on electrophysical and functional parameters in semiconducting structures and devices. Techniques for high-temperature gettering. Physical foundations for low-temperature gettering techniques |
Sujets : | |
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