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Mise au point de matériaux barrières diélectriques de type 1-SiC:H à faible permittivité déposés par PECVD pour réduire la capacité intermétallique dans les interconnexions avancées des circuits intégrés
Avec la diminution des tailles de transistor, les performances des circuits intégrés ne sont plus limitées par les temps de commutation de ces transistors mais par le délai de propagation du signal dans les lignes métalliques qui relient ces transistors entre eux. C est pour réduire ce délai que de...
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| Auteurs principaux : | , , |
|---|---|
| Collectivités auteurs : | , , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Mise au point de matériaux barrières diélectriques de type 1-SiC:H à faible permittivité déposés par PECVD pour réduire la capacité intermétallique dans les interconnexions avancées des circuits intégrés / Cédric Charles-Alfred; sous la direction d'Agnès Granier; co-encadrant Vincent Jousseaume |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2009 |
| Description matérielle : | 1 vol. (177 f.) |
| Condition d'utilisation et de reproduction : | Publication autorisée par le jury |
| Note de thèse : | Thèse doctorat : Sciences des matériaux, plasma et couches minces : Nantes : 2009 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
Mise au point de matériaux barrières diélectriques de type 1-SiC:H à faible permittivité déposés par PECVD pour réduire la capacité intermétallique dans les interconnexions avancées des circuits intégrés |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
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