Gravure de l InP par plasma ICP chloré et HBr/Ar : modélisation multiéchelle et analyse XPS

Dans le cadre de l ANR Blanc INCLINE (Inductively Coupled Plasmas for CMOS compatible etchINg of high performance III-V integrated laser sourceEs), nous avons développé un simulateur de gravure de l InP par plasmas ICP Cl2/Ar/N2 et HBr/Ar. Ce simulateur est basé sur une approche multiéchelle composé...

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux : Chanson Romain (Auteur), Rhallabi Ahmed (Directeur de thèse)
Collectivités auteurs : Université de Nantes Faculté des sciences et des techniques (Autre partenaire associé à la thèse), Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) Le Mans 2008-2021 (Organisme de soutenance)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Gravure de l InP par plasma ICP chloré et HBr/Ar : modélisation multiéchelle et analyse XPS / Romain Chanson; sous la direction de Ahmed Rhallabi
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 2012
Accès en ligne : Accès Nantes Université
Note de thèse : Thèse de doctorat : Science des matériaux : Nantes : 2012
Sujets :
Documents associés : Reproduction de: Gravure de l InP par plasma ICP chloré et HBr/Ar
LEADER 04042clm a2200445 4500
001 PPN177352892
003 http://www.sudoc.fr/177352892
005 20240829055200.0
029 |a FR  |b 2012NANT2076 
035 |a (OCoLC)1247855069 
100 |a 20140403d2012 k y|engy0103 ba 
101 0 |a fre  |d fre  |d eng  |2 639-2 
102 |a FR 
105 |a ||||v 00||| 
135 |a |r||||||||||| 
200 1 |a Gravure de l InP par plasma ICP chloré et HBr/Ar  |b Ressource électronique  |e modélisation multiéchelle et analyse XPS  |f Romain Chanson  |g sous la direction de Ahmed Rhallabi 
210 |a [S.l.]  |c [s.n.]  |d 2012 
230 |a Données textuelles 
320 |a Références bibliographiques 
325 1 |a La thèse papier est la seule version officielle 
328 |b Thèse de doctorat  |c Science des matériaux  |e Nantes  |d 2012 
330 |a Dans le cadre de l ANR Blanc INCLINE (Inductively Coupled Plasmas for CMOS compatible etchINg of high performance III-V integrated laser sourceEs), nous avons développé un simulateur de gravure de l InP par plasmas ICP Cl2/Ar/N2 et HBr/Ar. Ce simulateur est basé sur une approche multiéchelle composée de trois modules, un modèle de plasma, un modèle de gaine et un modèle de gravure. Le modèle de plama permet de déterminer les densités et les flux d espèces neutres et chargées ainsi que la température électronique en fonction des paramètres machine. La densité et la température électronique sont ensuite injectées dans le modèle de gaine. Ce dernier est basé sur une approche cellulaire Monte-Carlo, permettant d étudier le transport des ions traversant la gaine. Les fonctions de distributions générées par le modèle de gaine sont les données d entrée du modèle de gravure. Ce dernier est basé sur une approche cellulaireMonte-Carlo, permettant de suivre l évolution temporelle des profils de gravure à travers le masque. L un des résultats de simulation a mis en évidence le rôle de la désorption chimique lors de la formation du bowing. D autre part, un mécanisme de passivation des flancs par l azote a été proposé. Une étude XPS d échantillons gravés par plasma Cl2 ou Cl2/H2, nous a permis d observer le rôle important de la température de pendant la gravure. Les effets d autres paramètres comme l influence chimique des espèces Cl2 et H2 ou la tension d accélération ont aussi été décrits. Deplus, nous montrons la présence de phosphore élémentaire à la surface des échantillons gravés en plein champ. Enfin, des motifs rubans ont été analysés. La première expérience montre que la surface des flancs est plus riche en phosphore que la surface du fond des motifs, quelle que soit la chimie de gravure (Cl2 ou Cl2/H2) 
455 | |0 177352108  |t Gravure de l InP par plasma ICP chloré et HBr/Ar  |o modélisation multiéchelle et analyse XPS  |f Romain Chanson  |c [S.l.]  |n [s.n.]  |d 2012  |p 1 vol. (190 p.) 
541 | |a Etching of indium phosphide under chloride and bromide inductively coupled plasma : multiscale approach and surfaces analysis  |z eng 
606 0 |3 PPN029489946  |a Gravure par plasma  |2 rameau 
606 |3 PPN031354483  |a Phosphure d'indium  |2 rameau 
606 |3 PPN027244075  |a Optoélectronique  |2 rameau 
608 |3 PPN027253139  |a Thèses et écrits académiques  |2 rameau 
610 0 |a CMOS  |a Composants  |a Chloré 
686 |a 620  |2 TEF 
700 1 |3 PPN177352396  |a Chanson  |b Romain  |f 1984-....  |4 070 
701 1 |3 PPN112638775  |a Rhallabi  |b Ahmed  |4 727 
711 0 2 |3 PPN033124884  |a Université de Nantes  |b Faculté des sciences et des techniques  |4 985 
711 0 2 |3 PPN026403447  |a Université de Nantes  |c 1962-2021  |4 295 
711 0 2 |3 PPN134081668  |a École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL)  |c Le Mans  |c 2008-2021  |4 295 
801 3 |a FR  |b Abes  |c 20230206  |g AFNOR 
856 4 |q PDF  |u https://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show/show?id=2b207546-39e2-4c12-871a-17575da77fd5  |2 accès au texte intégral de la thèse 
979 |a SCI 
930 |5 441092104:503213365  |b 441092104  |j g 
998 |a 647681