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Modélisation complète de la gravure profonde de silicium par procédé cryogénique à base de plasma SF 6 /O 2 /Ar
La gravure sèche par plasma est considérée comme une des techniques génériques qui a contribué à la miniaturisation des circuits intégrés. Dans cette étude, nous avons développé un simulateur multiéchelle de gravure profonde du silicium par procédé cryogénique. Ce simulateur est composé de quatre mo...
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| Auteurs principaux : | , , , , , , , |
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| Collectivités auteurs : | , , , |
| Format : | Livre |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Modélisation complète de la gravure profonde de silicium par procédé cryogénique à base de plasma SF 6 /O 2 /Ar / Yehya Haidar; sous la direction de Ahmed Rhallabi ; co-directeur Fadia Taher ; co-encadrants Arezki Mokrani, Doumit Zaouk |
| Publié : |
Nantes :
Université de Nantes
, 2016 |
| Description matérielle : | 1 vol. (137 p.) |
| Accès en ligne : |
Accès Nantes Université
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| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Matériaux Plasma : Nantes : 2016 Thèse de doctorat : Matériaux Plasma : Université Libanaise : 2016 |
| Disponibilité : | Publication autorisée par le jury |
| Sujets : |
| Résumé : | La gravure sèche par plasma est considérée comme une des techniques génériques qui a contribué à la miniaturisation des circuits intégrés. Dans cette étude, nous avons développé un simulateur multiéchelle de gravure profonde du silicium par procédé cryogénique. Ce simulateur est composé de quatre modules. Le modèle cinétique du plasma est basé sur l approche globale 0D. Il permet le calcul les densités et les flux d espèces considérées dans le schéma réactionnel ainsi que la densité et la température électroniques. Les résultats de simulation montrent que la densité électronique croit avec l augmentation de la puissance et le débit d oxygène. Le modèle de gaine permet de déterminer les fonctions de distributions angulaire et énergétique des ions positifs. Dans nos conditions de pression et de puissance, la majorités d ions positifs impactent la surface avec un angle d incidence de 3 degrés. Les pics de fonctions énergétiques sont centrés sur l énergie équivalente à la tension d autopolarisation plus le potentiel plasma. Le modèle de surface repose sur une approche cellulaire associée à la méthode de Monte-Carlo pour prédire le profil 2D de gravure de silicium ainsi que l évolution de la vitesse de gravure. Les résultats montrent une croissance de la vitesse de gravure avec l augmentation de la puissance et une diminution avec le débit d oxygène. Enfin, le dernier code est basé sur l approche ab-initio. Ce modèle est basé sur la théorie de la densité de la fonctionnelle en utilisant la méthode de la dynamique moléculaire en associant l approche de pseudopotentiel. L adsorption de l atome de silicium attaché à un atome de fluor est discuté en termes d énergies de liaison. Nos résultats sont en bon accord avec ceux de la littérature. Les résultats montrent également une diminution des longueurs de liaison entre le silicium et le fluor en ajoutant 1, 2 et 3F. |
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| Notes : | Titre provenant de la page de titre du document électronique L'impression du document génère 137 p. Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL)(Le Mans) Partenaire de recherche : Institut des Matériaux Jean Rouxel (Nantes) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Anne Talneau (Présidente du jury) ; Ziad Herro (Membre du jury) ; Mohammed Yousfi , Mazen El-Ghoule (Rapporteurs) |
| Configuration requise : | Un logiciel capable de lire un fichier au format pdf |
| Bibliographie : | Bibliogr. p.133-137 |