Développement d'un procédé de dopage de matériaux semi-conducteurs par plasma : caractérisation du plasma et de son interaction avec les matériaux
Le but de ce travail est de caractériser le plasma de trifluorure de bore (BF3) et son interaction avec les matériaux pendant le procédé de dopage des jonctions fines pour les semi-conducteurs utilisant un procédé de plasma pulsé (PLAD). Afin de mesurer in-situ la distribution en énergie des ions pr...
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Auteurs principaux : | , , |
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Collectivités auteurs : | , , |
Format : | Thèse ou mémoire |
Langue : | français anglais |
Titre complet : | Développement d'un procédé de dopage de matériaux semi-conducteurs par plasma : caractérisation du plasma et de son interaction avec les matériaux / Ludovic Godet; sous la direction de Christophe Cardinaud; co-encadrant Gilles Cartry |
Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2006 |
Description matérielle : | 1 vol. (302 f.) |
Condition d'utilisation et de reproduction : | Publication autorisée par le jury |
Note de thèse : | Thèse doctorat : Sciences des matériaux : Nantes : 2006 |
Sujets : | |
Documents associés : | Reproduit comme:
Développement d'un procédé de dopage de matériaux semi-conducteurs par plasma |
Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
BU Sciences
| Cote | Prêt | Statut |
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Communication impossible | 2006 NANT 2085 | Empruntable | Disponible |
Communication impossible | 2006 NANT 2085 | Exclu du prêt | disponible |