Nantilus
Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM)
Les composés de la famille des spinelles lacunaires AM4X8 (A = Ga, Ge ; M = V, Ta, Nb ; X = S, Se) sont des isolants de Mott à faible gap dans lesquels l'application de pulses électriques induit une chute de résistance électrique. Cette "transition résistive" non-volatile et réversibl...
Enregistré dans:
| Auteurs principaux : | , , , , |
|---|---|
| Collectivités auteurs : | , , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM) / Émeline Souchier; sous la direction de Marie-Paule Besland; co-directeur Étienne Janod; co-encadrants Laurent Cario et Benoît Corraze |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2010 |
| Description matérielle : | 1 vol. (176 f.) |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Sciences des matériaux, plasma et couches minces : Nantes : 2010 |
| Sujets : | |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
BU Sciences
| | Cote | Prêt | Statut |
|---|---|---|---|
| Communication impossible | 2010 NANT 2021 | Empruntable | Disponible |
| Communication impossible | 2010 NANT 2021 | Exclu du prêt | disponible |