Nantilus
Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes de réalisations du transistor bipolaire a hétéro jonction gaalas/gaas, et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique Gemow sur gaas
Une partie de ce memoire porte sur l'étude des étapes technologiques nécessaires pour la réalisation du transistor bipolaire a hétérojonction gaalas/gaas en structure autoalignée. Nous avons, essentiellement par la technique d'analyse xps (spectrométrie de photoélectrons x), détermine la c...
Enregistré dans:
| Auteurs principaux : | , |
|---|---|
| Collectivité auteur : | |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes de réalisations du transistor bipolaire a hétéro jonction gaalas/gaas, et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique Gemow sur gaas / Alain Campo; sous la dir. de Christophe Cardinaud |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1994 |
| Description matérielle : | 227 f. |
| Condition d'utilisation et de reproduction : | Publication autorisée par le jury |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Sciences appliquées : Nantes : 1994 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes de réalisations du transistor bipolaire a hétéro jonction gaalas/gaas, et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique Gemow sur gaas |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication BU Sciences, Ex. 2 : Titre temporairement indisponible à la communication |
BU Sciences
| | Cote | Prêt | Statut |
|---|---|---|---|
| Communication impossible | 94 NANT 2015 | Empruntable | Disponible |
| Communication impossible | 94 NANT 2015 | Exclu du prêt | Disponible |