Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique
L'objet de cette étude est la gravure par plasma de nouveaux matériaux, SiOC(H). Leurs propriétés ajustables entre organiques et inorganiques leurs donnent de grandes potentialités en microélectronique. Premièrement, l'étude se porte sur des applications en lithographie optique avec de nou...
Enregistré dans:
Auteurs principaux : | , |
---|---|
Collectivités auteurs : | , |
Format : | Thèse ou mémoire |
Langue : | français |
Titre complet : | Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique / David Eon; sous la dir. de Christophe Cardinaud |
Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2004 |
Description matérielle : | 241 p. |
Condition d'utilisation et de reproduction : | Publication autorisée par le jury |
Note de thèse : | Thèse doctorat : Science des matériaux : Nantes : 2004 |
Sujets : | |
Documents associés : | Autre format:
Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique Reproduit comme: Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique |
Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
LEADER | 04429cam a2200493 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | PPN086308599 | ||
003 | http://www.sudoc.fr/086308599 | ||
005 | 20240925055700.0 | ||
029 | |a FR |b 2004NANT2111 | ||
035 | |a (OCoLC)492897782 | ||
100 | |a 20050428d2004 k y0frey0103 ba | ||
101 | 0 | |a fre |d fre |d eng |2 639-2 | |
102 | |a FR | ||
105 | |a ||||m ||||| | ||
106 | |a r | ||
181 | |6 z01 |c txt |2 rdacontent | ||
181 | 1 | |6 z01 |a i# |b xxxe## | |
182 | |6 z01 |c n |2 rdamedia | ||
182 | 1 | |6 z01 |a n | |
200 | 1 | |a Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique |f David Eon |g sous la dir. de Christophe Cardinaud | |
210 | |a [S.l.] |c [s.n.] |d 2004 | ||
215 | |a 241 p. |d 30 cm | ||
316 | |5 441092104:228965608 |a Titre temporairement indisponible à la communication | ||
320 | |a Bibliogr. p. 229-241 | ||
328 | |b Thèse doctorat |c Science des matériaux |e Nantes |d 2004 | ||
330 | |a L'objet de cette étude est la gravure par plasma de nouveaux matériaux, SiOC(H). Leurs propriétés ajustables entre organiques et inorganiques leurs donnent de grandes potentialités en microélectronique. Premièrement, l'étude se porte sur des applications en lithographie optique avec de nouveaux polymères développés dans un projet européen, contenant un nanocomposé, la molécule POSS (Si8O12). Ces polymères faiblement absorbants à 157 nm pourraient être utilisés dans un procédé bicouche. Des analyses XPS et ellipsométriques sont effectuées pour caractériser ces matériaux avant et après traitement en plasma d'oxygène. Ensuite, le SiOC(H) est utilisé comme isolant d'interconnexion à faible permittivité électrique. Les plasmas de C2F6 avec des additifs (O2, Ar, et H2) sont utilisés pour obtenir une vitesse de gravure élevée et une grande sélectivité avec la couche d'arrêt SiC(H). Des analyses de surfaces et du plasma sont utilisées pour comprendre les mécanismes de gravures des matériaux. | ||
330 | |a This study concerns the plasma etching of new materials SiOC(H). Their adjustable properties between organic and inorganic lead to great potentialities in microelectronics. This work is dedicated to two particular applications in microelectronics. First, the study is focused on their applications in optical lithography with new polymers developing in a european project, containing one nanocompound, the POSS molecule. These polymers that exhibit a low absorbance at 157 nm could be used in a bilayer process. XPS and ellipsometric analysis are performed to characterize these materials before and after oxygen plasma treatment. Then, the SiOC(H) are used as interconnection dielectric with a low electric permittivity. C2F6 plasma with various additives (O2, Ar, and H2) was studied in order to obtain a high eth rate, and a significant selectivity with respect to the etch stop layer SiC(H). Surface and plasma analysis are carried out to enhanced understanding of the material etch mechanisms. | ||
371 | 1 | |a Publication autorisée par le jury | |
452 | | | |0 226599442 |t Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique |f David Eon |d 2006 |c Villeurbanne |n [CCSD] | |
456 | | | |0 128456329 |t Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique |f David Eon |d 2007 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p 1 microfiche |s [ Grenoble thèses] | |
606 | |3 PPN027459314 |a Lithographie |2 rameau | ||
606 | |3 PPN029489946 |a Gravure par plasma |2 rameau | ||
606 | |3 PPN027859274 |a Diélectriques |2 rameau | ||
608 | |3 PPN027253139 |a Thèses et écrits académiques |2 rameau | ||
686 | |a 530 |2 TEF | ||
700 | 1 | |3 PPN086255517 |a Eon |b David |f 1977-... |4 070 | |
701 | 1 | |3 PPN060603011 |a Cardinaud |b Christophe |4 727 | |
711 | 0 | 2 | |3 PPN026403447 |a Université de Nantes |c 1962-2021 |4 295 |
711 | 0 | 2 | |3 PPN068720513 |a École doctorale sciences et technologies de l'information et des matériaux |c Nantes |4 996 |
801 | 3 | |a FR |b Abes |c 20231213 |g AFNOR | |
979 | |a SCI | ||
930 | |5 441092104:228965608 |b 441092104 |j g | ||
991 | |5 441092104:228965608 |a Exemplaire modifié automatiquement le 18-07-2024 18:37 | ||
998 | |a 407405 |