Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100)

Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100)

DES FILMS MINCES (20-150 A) DE SIO#2, DE SI#3N#4 ET D'OXYNITRURES DE SILICIUM SIO#XN#Y ONT ETE ETUDIES PAR TROIS TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES: LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS, XPS, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION A HAUTE RESOLUTION, TEM, ET L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE. LES...

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux : Saoudi Rachida (Auteur), Tousset Jean (Directeur de thèse, Président du jury de soutenance)
Collectivité auteur : Université Claude Bernard Lyon 1971-.... (Organisme de soutenance)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100) / par Rachida Saoudi; sous la direction de J. Tousset
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 1990
Description matérielle : 1 vol. (pagination multiple [ca 150] p.)
Note de thèse : Thèse de doctorat : Sciences : Lyon 1 : 1990
Sujets :
Silicium > Couches minces
Interfaces (sciences physiques)
Ellipsométrie
Nitruration
PHYSIQUE : ETAT CONDENSE : PROPRIETES MECANIQUES ET THERMIQUES
Thèses et écrits académiques
Documents associés : Reproduit comme: Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100)
Particularités de l'exemplaire : BU Sciences, Ex. 1 :
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