Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100)
DES FILMS MINCES (20-150 A) DE SIO#2, DE SI#3N#4 ET D'OXYNITRURES DE SILICIUM SIO#XN#Y ONT ETE ETUDIES PAR TROIS TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES: LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS, XPS, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION A HAUTE RESOLUTION, TEM, ET L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE. LES...
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Auteurs principaux : | , |
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Collectivité auteur : | |
Format : | Thèse ou mémoire |
Langue : | français |
Titre complet : | Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100) / par Rachida Saoudi; sous la direction de J. Tousset |
Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1990 |
Description matérielle : | 1 vol. (pagination multiple [ca 150] p.) |
Note de thèse : | Thèse de doctorat : Sciences : Lyon 1 : 1990 |
Sujets : | |
Documents associés : | Reproduit comme:
Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2-Si(100), SiOxNy-Si(100) |
Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
BU Sciences
| Cote | Prêt | Statut |
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Communication impossible | 90 LYO1 Saoudi | Empruntable | Disponible |